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文献详细Journal detailed

SiGe HBT工艺结构及失效分析

中文会议: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文汇编

会议日期: 2007-10-01

会议地点: 四川都江堰

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 信息产业部电子第五研究所

出  处: 《第十二届全国可靠性物理学术讨论会》

摘  要: 本文介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了SiGe HBT晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失效的SiGe HBT进行失效分析。

关 键 词: 晶体管 异质结晶体管 失效机理 结构参数 加速寿命试验

分 类 号: [TN]

领  域: [电子电信]

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