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电沉积法制备纳米Ni针锥阵列及其场发射性能的研究

中文会议: 2007年上海市电子电镀学术年会论文汇编

会议日期: 2007-11-20

会议地点: 上海

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 上海交通大学材料科学与工程学院

出  处: 《2007年上海市电子电镀学术年会》

摘  要: 采用电沉积方法制备了纳米Ni针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜(SEM)观测了纳米Ni针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统了其场发射性能。测试结果表明纳米Ni针锥阵列具有低的开启电场,为5~6.7V/μm(对应场发射电流1μA)和大的场发射电流,为155~206μA.研究了研究纳米针锥的尺寸和排布对阵列场发射性能的影响.

关 键 词: 电沉积 场发射性能 纳米针锥 扫描电子显微镜

领  域: [一般工业技术]

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