中文会议： 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议日期： 2007-11-15

会议地点： 武汉

主办单位： 中国仪器仪表学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室

出　　处： 《第六届中国功能材料及其应用学术会议》

摘　　要： 分别制备了8％(质量分数)的TiC和5％(质量分数)的SiC掺杂的MgB2超导块材,并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在流动的Ar气保护下在不同退火温度下退火,研究发现TiC掺杂和SiC掺杂的MgB2样品的最优化工艺参数分别是900℃保温1h和720℃保温1h.随后采用XRD和SEM分别对样品进行了相成份和微观结构的分析,并采用PPMS测试了样品的磁滞回线并由Bean模型计算出了样品的临界电流密度。在4.2K,0T下TiC掺杂的Jc值为1.0×105A/cm2,而10K,0T下SiC掺杂样品的Jc值为4×105A/cm2.而且随着外加磁场的增加,SiC掺杂MgB2样品的Jc值下降得比TiC掺杂的MgB2样品要缓慢很多,这表明了SiC掺杂比TiC掺杂更有利于改善MgB2在高场下的超导电性能。

关 键 词： 掺杂 掺杂 超导体 超导性能 退火温度 微观结构

分 类 号： [TM]

领　　域： [电气工程]