中文会议： 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议日期： 2007-11-15

会议地点： 武汉

主办单位： 中国仪器仪表学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 西北工业大学材料学院

出　　处： 《第六届中国功能材料及其应用学术会议》

摘　　要： 采用射频磁控反应溅射法,以高纯热压HfO2陶瓷为靶材,在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律,并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明,射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显,O2/Ar流量比和衬底温度对沉积速率的作用不明显。所制备薄膜的折射率较高在近红外波段趋于1.95,在500～1650nm波段范围内薄膜几乎无吸收,透过率较高。

关 键 词： 射频磁控反应溅射法 薄膜 热压 陶瓷 沉积速率 光学性能

分 类 号： [TN]

领　　域： [电子电信]