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直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响

中文会议: 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集

会议日期: 2007-06-16

会议地点: 沈阳

主办单位: 中国真空学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 沈阳航空工业学院

出  处: 《第八届真空冶金与表面工程学术会议》

摘  要: 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性.因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件.

关 键 词: 直流反应磁控溅射 二氧化钛染料敏化太阳电池 表面形貌 二氧化钛薄膜

分 类 号: [TG]

领  域: [金属学及工艺]

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