中文会议： 第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会论文集

会议日期： 2008-04-01

会议地点： 西安

主办单位： 中国物理学会

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 中山大学

出　　处： 《第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会》

摘　　要： 本研究以Zn(CH3CO2)2·2H2O为原材料，用Sol-Gel法在Si衬底上制备了ZnO薄膜，研究了退火条件对Zno薄膜的结晶、微结构及发光性能的影响。研究表明，ZnO薄膜呈多晶特征，随退火温度升高，晶粒尺寸增大，c轴长度逐渐减小，而薄膜平面应力从压应力转变为张应力，应力松弛温度约620℃。室温光致发射谱测量显示，由于结晶性能改善及内应力的作用，znO薄膜的近带边紫外发射(～390 nm)增强且发生红移;当退火温度高于700℃时，绿光峰增强，这与薄膜高温处理下产生大量氧空位缺陷有关。

关 键 词： 薄膜材料 氧化锌薄膜 薄膜结构 光致发光

分 类 号： [TB]

领　　域： [一般工业技术]