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钼酸锶多晶薄膜的低温制备研究

中文会议: 第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会论文集

会议日期: 2008-04-01

会议地点: 西安

主办单位: 中国物理学会

作  者: ; ; ; ; ; ;

机构地区: 四川大学材料科学与工程学院

出  处: 《第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会》

摘  要: 本研究采用化学溶液沉积技术,在室温和近室温条件下制备出钼酸锶薄膜。借助X-射线衍射对钼酸锶薄膜的结构进行了分析,用原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并估计了薄膜晶粒的尺寸。测试结果表明:利用化学溶液法,在室温(25℃)和近室温(40℃)的条件下得到了四方相的钼酸锶多晶薄膜;形貌分析的结果表明低温制备的钼酸锶薄膜致密,无明显裂痕,晶粒出现团聚现象,尺寸在纳米尺度范围,约为60~80nm。不同溶剂制得的薄膜在低温下并没有表现出明显的溶剂差异。

关 键 词: 多晶薄膜 薄膜制备 钼酸锶薄膜 化学沉积

领  域: [电子电信]

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