中文会议： 2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集

会议日期： 2008-09-07

会议地点： 哈尔滨

主办单位： 中国电工技术学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 北京市辐射中心

出　　处： 《2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议》

摘　　要： 磁过滤阴极弧沉积技术可以在室温下制备高质量类金刚石薄膜，薄膜的sp3键含量高达85％，具有优异的性能如极高的硬度，低的摩擦系数和高的化学稳定性，因而是耐磨表面保护薄膜的理想选择，在光学、机械、航空航天和军工等领域有着广阔的应用前景。本文介绍了采用MEVVA离子注入技术和磁过滤阴极弧沉积技术相结合在几种衬底表面制备厚度2-6微米的高结合强度类金刚石薄膜，采用X射线光电子能谱和拉曼光谱等分析手段研究了MEVVA离子注入DLC薄膜后的结构变化。

关 键 词： 类金刚石薄膜 高结合强度 磁过滤阴极弧沉积 离子注入

分 类 号： [TG]

领　　域： [金属学及工艺]