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CuO/TiO2纳米管阵列薄膜电极的制备及光电性能

中文会议: 第28届全国化学与物理电源学术年会论文集

会议日期: 2009-11-01

会议地点: 广州

主办单位: 中国电子学会

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 华南师范大学化学与环境学院

出  处: 《第28届全国化学与物理电源学术年会》

摘  要: 用阳极氧化法在钛基体上得到二氧化钛纳米管阵列薄膜,然后用电沉积的方法修饰上铜,再经过热处理得到铜氧化物修饰TiO2电极。使用X射线衍射(XPD)、扫描电镜(SEM)和光电化学等测试技术对膜电极进行表征的结果表明,TiO2纳米管阵列薄膜电极修饰CuO后可提高光生电子-空穴的分离效率,修饰铜量的最佳条件是在-0.45V(vs.Ag/Agel)恒压电沉积200S,在紫外光激发下光电流密度可提高约6倍,在氙灯光源激发下则提高约22.5倍。铜氧化物修饰可以提高TiO2纳米管阵列薄膜电极的光响应范围和光电流大小。

关 键 词: 纳米管阵列 电沉积 光电性能 薄膜电极 阳极氧化法 二氧化钛

领  域: [电气工程]

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