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新型正电子微束技术及其在材料微结构分析中的应用

中文会议: 第十届全国正电子湮没谱学会议论文集

会议日期: 2009-11-01

会议地点: 南宁

主办单位: 中国物理学会

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 武汉大学物理科学与技术学院

出  处: 《第十届全国正电子湮没谱学会议》

摘  要: @@材料的微观结构如缺陷、孔洞及纳米颗粒等的量子效应对材料性能的影响已越来越显示其重要性。深入研究材料原子层次的微观结构信息,对于材料科学、信息科学以及计算机科学的发展将起到重要的作用。正电子湮没谱学已成为研究凝聚态物质中缺陷的有力手段。近年来利用低能正电子束研究材料表面界面微结构以及缺陷的深度分柿也已经取得了重要进展[1]。当前正电子在材料科学中研究的重点是提高其缺陷分辨本领。这就需要发展束流强,亮度高,束斑小的正电子微束。它不仅能够进行缺陷的深度分析,还能探测微米区域内缺陷尺寸、浓度及其种类的三维分布。 应对材料性能的影响已越来越显示其重要性。深入研究材料原子层次的微观结构信息,对于材料科学、信息科学以及计算机科学的发展将起到重要的作用。正电子湮没谱学已成为研究凝聚态物质中缺陷的有力手段。近年来利用低能正电子束研究材料表面界面微结构以及缺陷的深度分柿也已经取得了重要进展1。当前正电子在材料科学中研究的重点是提高其缺陷分辨本领。这就需要发展束流强,亮度高,束斑小的正电子微束。它不仅能够进行缺陷的深 ?矠腸I  区域内缺陷尺寸、浓度及其种类的三维

分 类 号: [O4 O57]

领  域: [理学] [理学] [理学]

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