中文会议： 第十届全国正电子湮没谱学会议论文集

会议日期： 2009-11-01

会议地点： 南宁

主办单位： 中国物理学会

出版方 ： 中国科学院核分析技术重点实验室、广西大学物理科学与工程技术学院

作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 广西大学物理科学与工程技术学院

出　　处： 《第十届全国正电子湮没谱学会议》

摘　　要： 测量了不同CasnO3含量的(1-x)BaTiO3-xCaSnO3压电陶瓷样品符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验结果表明，随着(1-x)BaTiO3-xCaSnO3陶瓷样品中caSnO3含量x的升高，正电子寿命谱的第二组分强度I2及平均寿命τm均升高，商谱谱峰降低，陶瓷样品中的缺陷浓度升高。在BaTiO3陶瓷中添加CaSnO3，将抑制品粒的生长，使品界缺陷增加。随着烧结温度的升高，0.8BaTiO3-0.2CaSnO3和0.6BaTiO3-0.4CaSnO3陶瓷样品的晶粒艮人，晶界缺陷和空位等减少，陶瓷样品的商谱降低。

关 键 词： 压电陶瓷 含量 微观缺陷 正电子湮没

分 类 号： [G48 TL8]

领　　域： [文化科学] [文化科学] [核科学技术]