中文会议： 第十七届全国半导体物理学术会议论文集

会议日期： 2009-08-16

会议地点： 长春

主办单位： 中国物理学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 天津大学精密仪器与光电子工程学院

出　　处： 《第十七届全国半导体物理学术会议》

摘　　要： @@引言： 目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni／Au栅和Al0.245Ga0.755N／GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni／Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较，结果表明铝薄层的插入明显改善了肖特基结常温和高温的伏安特性

领　　域： [电子电信] [电子电信]