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文献详细Journal detailed

新型通孔硅衬底GaN基LED结构的电流扩展分析

中文会议: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)论文集

会议日期: 2009-10-14

会议地点: 深圳

主办单位: 中国照明学会

作  者: ; ; ;

机构地区: 中山大学

出  处: 《第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)》

摘  要: 为了降低Si衬底GaN基LED的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二极管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况.

领  域: [电子电信] [电子电信]

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