中文会议： 广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会论文集

会议日期： 2010-12-01

会议地点： 广东深圳

出版方 ： 广东省真空学会（Guangdong Vaccum Society）

作　　者： ; ; ; ; ; (扬任花）; (洪浩高）;

机构地区： 华南理工大学电子与信息学院

出　　处： 《广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会》

摘　　要： 以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)。该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管特性,载流子迁移率最高达8.0cm~2/V.s,阈值电压为16.5 V,开关电流比大于250。栅应力效应分析表明,该ZnO TFT在工作状态下具有较好的稳定性。

关 键 词： 薄膜晶体管 氧化锌薄膜 稳定性

分 类 号： [TN321.5]

领　　域： [电子电信]