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SiGe HBT工艺结构及失效分析

中文会议: 2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集

会议地点: 四川都江堰

出版方 : 中国电子学会可靠性分会、中国电子学会电子元件分会、中国电子学会半导体与集成技术分会、中国电子学会电子材料分会、广东省电子学会

作  者: ; ; (恩云飞); (章晓文); (姚若河);

机构地区: 信息产业部电子第五研究所

出  处: 《2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会》

摘  要: 本文介绍了 SiGe 异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了 SiGe HBT 晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失效的 SiGe HBT 进行失效分析.

关 键 词: 异质结晶体管 加速寿命试验 可靠性 热载流子效应

分 类 号: [TN322.8]

领  域: [电子电信]

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