中文会议： 中国核科学技术进展报告（第三卷）——中国核学会2013年学术年会论文集第8册（辐射研究与应用分卷、同位素分卷、核农学分卷、辐射物理分卷）

会议日期： 2013-09-11

会议地点： 中国黑龙江哈尔滨

出版方 ： 中国核学会

作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 广东海洋大学理学院

出　　处： 《中国核学会2013年学术年会》

摘　　要： 本文用254 nm的紫外线辐照GaN基蓝光LED晶片,并测量了晶片的热释光发光曲线。实验结果表明:在93℃和216℃附近晶体有明显的热释光峰,在一定范围内发光强度会随辐照时间的增加而增加,但热释光很容易饱和。用热释光动力学模型分析发光曲线发现,热释光陷阱的能量分别为0.68 eV和0.95 eV,这可能外延生长所产生的界面局域能级的陷阱激活能。本文用热释光方法成功观测GaN基晶体中的陷阱,说明热释

关 键 词： 热释光 半导体

领　　域： [电子电信]