导　　师： 刘广均

学科专业： H2701

授予学位： 硕士

作　　者： ;

机构地区： 清华大学

摘　　要： 该文应用平板磁剪切位形和回旋动力学理论,通过RALEIGH-RITZ方法数值求解耦合的积分方程组,首次研究了内部输运壁垒区的电磁离子温度梯度(ITG)模,计算中考虑了磁剪切的梯度和非绝热电子响应.数值计算结果表明,在极弱磁剪切区,电子的非绝热响应对ITG模的稳定性有较大影响.在考虑非绝热电子的情况下,有限β(等离子体压强/磁压强)在极弱磁剪切区对ITG模的四个分支有明显的抑制作用,而且高阶的ITG模更易被有限β所抑制.

关 键 词： 有限 电磁 模 内部输运壁垒 非绝热电子响应

分 类 号： [TL612.2]

领　　域： [核科学技术]