导　　师： 黄德修

学科专业： H0901

授予学位： 博士

作　　者： ;

机构地区： 华中理工大学

摘　　要： 该文采用能带工程的手段，由MOCVD外延生长了张应量子阱和压应变量子阱构成的混合应变量子阱作为有源区材料，实现了1.3μM波段SOA的偏振灵敏度1DB;用匹配量子阱和张应变量子垒作为有源区材料，实现了1.55μM波段SOA的偏振灵敏度1.5DB。在SOA芯片结构方面，该文通过理论和实验研究了斜腔结构和锥形有源条与掩埋窗口。该研究在国产DMDE-450型镀膜机上发展了一种适合于批量制备SOA增透膜的工艺。该文对所研制的两端拉锥单模光纤直接耦合SOA的噪声特性进行了研究。指出外腔反馈是恶化SOA噪声特性的重要原因之一。采用所研制的SOA，实现了1.3μM波段和1.55μM波段140MBIT/S速率下的波长转换。

关 键 词： 应变量子阱 偏振无关 半导体光放大器 增透膜 回波损耗 噪声指数 增益饱和 波 长转换

分 类 号： [O46 TN36]

领　　域： [理学] [理学] [电子电信]