作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; (熊承堃）;

机构地区： 南京大学物理学院物理学系

出　　处： 《固体电子学研究与进展》 1992年第4期382-382,共1页

摘　　要： GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。

关 键 词： 双极晶体管 异质结 研制 锗硅区

领　　域： [电子电信]