作　　者： ; ; ; ; ; ; (张勇）;

机构地区： 厦门大学物理与机电工程学院物理学系

出　　处： 《发光学报》 2004年第2期168-172,共5页

摘　　要： 利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带降降低的趋势。测量结果显示,在组分x≥0.24％的样品的发光谱中NN_1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明,新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质,另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制。说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用。 GaP_(1-x)N_x alloy is a remarkable and promising semiconductor for its giant band-gap bowing effect and its potential application in optoelectronic devices. In this article, we carried out a series of studies on the optical properties of GaP_(1-x)N_x alloys, especially focusing on the samples with composition x=0.24%, 0.6%, 0.81%, using temperature-dependent photoluminescence(PL) speetra and transient photoluminescense spectra. At 17 K PL spectra, the GaP_(1-x)N_x alloys exhibit an obvious tendency of band-gap reduction with increasing composi- tion x. When composition x<0.24%, the NN_1 zero-phonon line and its replicas in GaP_(1-x)N_x alloys are well re- solved, displaying similar characteristic to dilute nitrogen doped GaP; while 0.24%

关 键 词： 变温光致发光谱 混晶 三 五族半导体材料 带隙弯曲 时间衰退发光谱 激活能

领　　域： [理学] [电子电信]