作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 暨南大学生命科学技术学院化学系

出　　处： 《分析试验室》 2003年第6期9-12,共4页

摘　　要： 硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。 Selenocystine had two sensitive cathodic peaks at about -500 mV (Ⅱ) and anodic peak at about -327 mV (Ⅲ) at SeAu film modified glassy carbon electrode, respectively. The conditions for preparing the SeAu film modified electrodes were optimized by orthogonal design and uniform design. The optimum conditions were: supporting electrolyte 0.1 mol/L KCl, deposition potential -850 mV, deposition time 60 s, concentration of SeO2 8.3×10-3 mol/L, concentration of AuCl3 8.9×10-4 mol/L. The data was processed with matalab software. The voltammetric response of selenocystine showed good repeatability at SeAu film modified glassy carbon electrode.

关 键 词： 硒 金膜修饰玻碳电极 制备条件 正交设计 均匀设计 硒代胱氨酸 生物体 含硒基氨酸

领　　域： [生物学] [理学] [理学]