作　　者： ; ; ;

机构地区： 清华大学机械工程学院摩擦学国家重点实验室

出　　处： 《自然科学进展》 2003年第11期1224-1227,共4页

摘　　要： 化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是用于获取全局和局部高级别平面度的技术,其作用机理包含流体动力作用.求解CMP的润滑方程有助于对其作用机理的了解和认识.文中利用线松弛技术和多重网格技术进行求解,并考察了不同输入参数下的载荷与转矩等的变化情况.

关 键 词： 润滑方程 多重网格法 化学机械抛光 线松弛 全网格近似 集成电路 晶片 平面度 流体动力 微电子产业

领　　域： [电子电信]