可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 深圳大学光电工程学院光电子技术科学系
出 处： 《深圳大学学报》 1989年第Z1期
摘 要： 本文讨论了零禁带半导体材料的能带立方对称哈密顿量对动力学介电常数的影响,用了微扰论的方法将立方对称项看成微扰项进行计算,结果表明:立方对称项的一阶微扰和高阶微扰计算不改变零禁带半导体的介电常数奇异性质。修正量在5～10%之间,其大小视材料而定。
关 键 词： 半导体 介电常数 微扰论
