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高精度低功耗快速启动带隙基准电路设计

作  者: ; ; ; (雷);

机构地区: 华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系

出  处: 《华中科技大学学报:自然科学版》 2008年第11期

摘  要: 提出一种能够明显减小电流失配误差的新颖带隙基准核心结构,结合低功耗设计方法和一种全新的启动方式,实现了整个带隙基准电路超低功耗和快速启动的功能.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Spectre仿真器进行了仿真验证,结果显示,在电源电压VCC工作范围2.5~6.0 V内,带隙电压的变化为0.06mV;在VCC=3.6 V,温度范围为-25~100℃时,带隙电压精度为17.5μV/℃;典型工作状态下(VCC=3.6V,t=25℃),整个电路静态电流仅为3.71μA,启动时间为23μs.

关 键 词: 集成电路 带隙基准 温度补偿 高精度 低功耗

分 类 号: [TN432]

领  域: [电子电信]

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