可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 华南理工大学电子与信息学院
出 处： 《华南理工大学学报(自然科学版)》 1998年第4期
摘 要： 在文〔１〕的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下的散粒噪声的行为和噪声谱与各个电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。
关 键 词： 散粒噪声 单电子晶体管 隧穿率 噪声谱 数值解
分 类 号： [TN322.6]
领 域： [电子电信]
