可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 华南理工大学电子与信息学院
出 处： 《华南理工大学学报(自然科学版)》 1998年第3期
摘 要： 本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．
关 键 词： 散粒噪声 单电子晶体管 隧穿率 噪声谱 主方程
分 类 号： [TN322.6]
领 域： [电子电信]
