作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 中国科学院金属研究所

出　　处： 《人工晶体学报》 2002年第6期576-582,共7页

摘　　要： 在热丝化学气相沉积 (HFCVD)金刚石膜的传统管道反应器中 ,对不同传热机制下管道壁温度场的空间分布进行了模拟计算。结果表明 ,管道壁温度场在纯热辐射机制作用下的分布很不均匀 ;在绝热和恒温的边界条件下考虑热传导作用后 ,管道壁温度分布的均匀性大大提高 ;进一步的热对流作用仅提高管道壁的总体温度 ,并不显著改变管道壁温度场的均匀性分布。 The temperature fields of reactor wall are simulated under different heat transfer mechanisms during the growth of diamond films by HFCVD. The results show that the temperature fields with heat irradiation are of poor homogeneous. When considering lateral heat conduction under adiabatic and isothermal boundary condition,respectively,the uniformity of the temperature fields increases,but it is not further sensitive to heat convection.

关 键 词： 反应器 热丝化学气相沉积 金刚石膜 管道壁温度场 模拟计算

领　　域： [理学] [理学]