作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 东南大学电子科学与工程学院

出　　处： 《光电子技术》 2002年第4期220-222,238,共4页

摘　　要： 多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应 ,本文采用阳极氧化工艺制作了 Al/PS/Si/Al的结构样品 ,给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值。结果表明 :多孔硅禁带宽度在 1 .9e V左右 ,大于 Si的禁带宽度 1 .1 2 e V,这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致。 Porous silicon possess large photoconductivity effects in the visible range. The samples with the structure of Al/PS/Si/Al were prepared by anode oxidation. The photoconductivity responses and values of samples made with different preparing conditions were given. The results indicated that the band gap of porous silicon is about 1.9 eV, which is great than that of silicon (1.2 eV).

关 键 词： 多孔硅 光电导 阳极氧化 禁带宽度

领　　域： [电子电信] [理学] [理学]