作　　者： ; ;

机构地区： 内蒙古大学物理科学与技术学院物理学系

出　　处： 《发光学报》 2008年第4期

摘　　要： 自陷电子对了解光电材料的光学性质非常重要。近些年来,形变晶格中电子自陷的问题受到研究人员的广泛关注。电子既与声学模耦合,也与光学模相互作用,但电子由自由态向自陷态的转变缘于近程的电子-声学声子耦合。研究表明:声学极化子在大多数半导体以及Ⅲ-Ⅴ族化合物,甚至碱卤化物中都不可能自陷。另一方面,电子-声子耦合在束缚结构,如二维、一维系统中,会有所增强。换言之,电子在低维结构中更容易自陷。Farias等人指出:声学极化子在二维系统中自陷的临界电子-声子耦合常数为定值,不随声子截止波矢的变化而改变。这种结论在物理上不尽合理。通过计算二维系统中的声学极化子基态能量和有效质量,讨论了二维声学极化子自陷问题。研究发现,二维声学极化子自陷转变的临界耦合常数随声子截止波矢的增加朝电子-声子耦合较弱的方向变化。这一特征与前人关于体和表面极化子研究获得的结论定性一致。所得二维声学极化子基态能量的表达式与Farias等人一致,但自陷的结果与Farias等人的结果在定性和定量上均有不同,我们认为Farias等人关于二维声学极化子自陷转变点的确定方式有不妥之处。通过改进自陷转变点的确定方式,得到了在物理上更合理的结果。更多还原

关 键 词： 声学极化子 基态能量 有效质量 自陷

分 类 号： [O471.3]

领　　域： [理学] [理学]