作　　者： ; ;

机构地区： 内蒙古大学物理科学与技术学院物理学系

出　　处： 《半导体学报：英文版》 2007年第12期

摘　　要： 采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元.以AlxGa1-xAs,ZnxCd1-xS和GaxIn1-xN膜为例,获得了其中表面声子极化激元的频率作为波矢和膜厚之函数的数值结果并进行了讨论.结果表明:在三元混晶膜中有四支表面声子极化激元,不同材料的色散曲线分别显示了混晶电磁声子模的"双模"和"单模"特征.更多还原

关 键 词： 表面声子极化激元 三元混晶 半导体膜

分 类 号： [O471.3]

领　　域： [理学] [理学]