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文献详细Journal detailed

半导体量子阱中束缚离子激子的研究(英文)
Ion-bound excitons in semiconductor quantum wells

作  者: ; ;

机构地区: 华南理工大学理学院应用物理系

出  处: 《原子与分子物理学报》 2002年第1期6-10,共5页

摘  要: 在多维球坐标体系中 ,我们对施主为束缚离子激子用二维方法求解薛定谔方程。研究表明 ,该方法对于半定量分析简便易行 ,并获得了一个重要的质量比σc=0 .5 12。 With hyperspherical coordinates, we have proposed a simple procedure to solve the Schr*idinger equation for excitons bound to an ioned donor in two dimensions, which is accurate enough for a semi-quantitative analysis. We have obtained a critical mass ratio σ c=0.512 for the stability of the system. Mass dependence of eigenenergies in the low-lying states have been investigated.

关 键 词: 量子阱 束缚离子激子 薛定谔方程 半导体 二维方法

领  域: [理学] [理学] [理学] [理学]

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