作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室

出　　处： 《稀有金属材料与工程》 2014年第2期413-417,共5页

摘　　要： 利用恒电位沉积方法，在阳极氧化铝（AA0）模板里沉积了CdSe纳米线。对其进行了结构和光学性质的表征，并且用循环伏安法讨论了其沉积机理。结果表明：室温下，0．1mol·L^-1CdS04＋0．25mol·L^-1H2SO4＋50mmol·L^-1SeO2配比的溶液，0．4v恒电位沉积，在AAO模板中制备出了CdSe纳米线。EDS的结果表明Cd和se的化学计量比接近于1：1；通过XRD确定了所沉积的CdSe为面心立方结构，其择优取向为（111）晶面。紫外可见分光光度计吸收光谱表明其吸收范围在400～700nm，吸收最大处在500nm，PL发射谱表明CdSe纳米线的发光峰在400nm左右。 The CdSe nanowires have been fabricated in anodic aluminum oxide （AAO） template by constant potential deposition method. The structure and the optical performance were investigated, the electrochemical deposition mechanism was investigated by cyclic voltammetry （CV）. The results show that CdSe nanowires can be produced at -0.4 V using the plating solution composition of 0.1mol·L^-1CdS04＋0.25mol·L^-1H2SO4＋50mmol·L^-1SeO2, 50 mmol·L^-1 SeOz. The composition of CdSe nanowires was characterized by energy-dispersive X-ray spectroscopy （EDS） and the stoichoiometric composition ratio of Cd and Se is 1：1. X-ray diffraction （XRD） shows that CdSe nanowires have face-centered cubic crystal and （111） preferred orientation. UV-VIS absorption spectrum shows that CdSe nanowires have a wide optical absorption peak range from 400 nm to 700 nm. The biggest absorption appears at 500 nm. PL emission spectra shows that CdSe nanowires PL peak is at 400 nm.

关 键 词： 电沉积 半导体 纳米线

领　　域： [理学] [理学] [理学] [理学]