可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 西北师范大学物理与电子工程学院
出 处： 《甘肃科技》 2013年第21期52-53,共2页
摘 要： 利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code(FAC)程序包,详细研究了Sn5+离子的双电子复合(DR)过程。通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道。计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100。
关 键 词： 双电子复合 速率系数
领 域： [理学] [理学]
