帮助 本站公告
您现在所在的位置:网站首页 > 知识中心 > 文献详情
文献详细Journal detailed

GaAs光导开关的通态电阻测量及分析

作  者: ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区: 中国工程物理研究院流体物理研究所

出  处: 《高能量密度物理》 2012年第4期151-155,共5页

摘  要: 为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻。结果表明:电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Q,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤、降低脉冲功率系统的电压输出能力,并缩短GaAs光导开关的使用寿命。

关 键 词: 光导开关 平板传输线 同轴电缆 通态电阻 热损伤

领  域: [电子电信]

相关作者

作者 夏秋玲
作者 庄绍勇

相关机构对象

机构 华南师范大学
机构 暨南大学
机构 香港中文大学
机构 华南理工大学

相关领域作者

作者 黄立
作者 毕凌燕
作者 廖建华
作者 王和勇
作者 郑霞