作　　者： ; ;

机构地区： 厦门大学物理与机电工程学院物理学系

出　　处： 《发光学报》 2000年第2期125-128,共4页

摘　　要： 对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变温和变激发功率密度的ＰＬ谱研究，发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动，但是出现了随温度变化的反常行为。从１９Ｋ开始升温，ＰＬ谱峰先向红端移动，到５５Ｋ左右开始出现蓝移，在８４Ｋ左右蓝移达到最大，而后随着温度的继续升高，ＰＬ谱峰再次向红端移动。整个过程与温度呈Ｚ－型关系，而不是通常半导体样品所表现的线性红移的热猝灭规律。这是首次对四元合金（ＡｌｘＧａ１＿ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ中ＰＬ谱的温度反常现象的报道，从另一方面证实了有序结构在（ＡＩｘＧａ１－Ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ中的存在。初步推测，这种温度反常现象是由于有序结构导致的超晶格效应所引起的。

关 键 词： 半导体 温度反常现象 谱 化合物

领　　域： [电子电信] [理学] [理学]