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文献详细Journal detailed

聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究
Preparation and photoelectronic properties of polythiophenes

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 天津理工大学化学化工学院

出  处: 《天津工业大学学报》 2013年第2期54-56,共3页

摘  要: 通过化学氧化聚合法合成了3种聚噻吩衍生物,并通过测定紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱以及循环伏安曲线对3种聚合物的光电性质进行了表征,确定其光学性质、带隙及HOMO/LUMO轨道能量.结果表明,在噻吩环3-位引入长链取代基可提高聚合物最大吸收波长λmax,降低聚合物带隙. Three kinds of polythiophenes are prepared by chemical oxidative polymerization. The UV-Vis spectra, fluorescence spectra, PL and CV spectra of the three polymers have been determined, the photoelectric properties, band gag and HOMO/LUMO orbital energy of them are investigated. It is concluded that a long chain alkyl group at 3 - position of thiophene ring can effectively increase λmax and decrease band gap of polythiophene.

关 键 词: 聚噻吩 光电性质 禁带宽度 化学氧化法

领  域: [化学工程]

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