作　　者： ; ; ; ; ; ;

机构地区： 北京工业大学

出　　处： 《光电子．激光》 2012年第7期1257-1262,共6页

摘　　要： 为了实现高能量、窄脉宽的输出,设计了一种半导体端面泵浦Nd:YVO4的主振荡器与功率放大器(MOPA)结构的Nd:YAG激光器。半导体端面泵浦布儒斯特切角Nd:YVO4晶体调Q主振荡器,获得了单脉冲能量0.16mJ,重复频率5Hz,脉冲宽度0.964ns的种子激光输出。通过使用光隔离器和端面切角的Nd:YAG晶体,避免了Nd:YAG双通预放大器的ASE效应,获得了单脉冲能量88mJ,脉宽0.972ns的激光输出。通过空间滤波器后,两级主放大器单通放大后,最终获得了单脉冲能量大于3.25J,脉宽1.051ns,M2为1.9,不稳定度小于±3%ns激光放大输出。 Diode end pumped the Brewster cut Qswitched Nd： YVO4 master oscillator and power amplifier （MOPA） of Nd. YAG laser with high energy, narrow pulse width output has been developed. The single pulse energy of master oscillaJor is 0.16 mJ at 5 Hz,and the pulse width is 0. 964 ns. In order to avoid the ASE effect of the Nd：YAG amplifier, the isolator and the 1.5 degree cut Nd： YAG crystal are adopted. After Nd：YAG double pass preamplifier,the single pulse energy of 88 mJ and the pulse width of 0. 972 ns are achieved. After Nd：YAG single pass post amplifier,the single pulse energy of 3.25 J, pulse width of 1. 051 ns and M2 =1.9 are acquired . The unstable degree of laser output is less than %±3%.

关 键 词： 激光器 高能量 窄脉宽 放大器

领　　域： [电子电信]