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Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究
Synthesis and Optoelectrical Properties of Al-Y Co-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films

作  者: ; ; ; ; ;

机构地区: 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出  处: 《中山大学学报(自然科学版)》 2011年第6期35-38,共4页

摘  要: 采用溶胶-凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为1.63×102Ω·cm,在可见光区(400-800 nm)平均透过率超过85%。 The Al-Y co-doped ZnO tranparent conducting thin films were prepared on glass by Sol-Gel method. X-ray diffraction (XRD) showed they have hexagonal wurtzite structure with a C-axis preferred orientation. Its minimum resistivity is 1.63 ×10^2Ω· cm, and the average transmittance in the visible region (400-800 nm) is beyond 85 %.

关 键 词: 共掺杂 透明导电薄膜 溶胶 凝胶

领  域: [理学] [理学] [电子电信]

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