作　　者： ; ;

机构地区： 中国工程物理研究院总体工程研究所

出　　处： 《电子设计工程》 2011年第21期17-20,共4页

摘　　要： 为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。 To design the storage measurement system,a ferroelectric RAM M28W640 and system on chip C8051F340 microprocessor are used. The write and read programs are complied by analyzed the chip performance characteristics and interface circuits. Because this parallel nonvolatile storage measurement technique has much advantages, such as high speed access, low power, almost infinite times erasure, simple write and read program. These advantages will make this mode very suitable for using in data memory measurement system.

关 键 词： 铁电存储器 存储测试系统 片上系统

领　　域： [电子电信] [自动化与计算机技术]