作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系

出　　处： 《红外与毫米波学报》 2011年第3期212-216,共5页

摘　　要： 利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收,增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用,从理论上预言CrO共掺GaN作为第3代太阳能电池的半导体材料的可行性. The crystal structure,electronic and optical properties of Cr,O and CrO codoped GaN were calculated by first-principle calculation.The results show that codoping method brings in new intermediate band as well as lowering the formation energy in comparison with single oxygen atom doping.The formation of intermediate band enhances absorption of low energy photons,especially in infrared range of the sun spectrum.Our calculation predicts the feasibility of CrO codoped GaN used as a third-generation solar cell semiconductor material.

关 键 词： 第 代太阳能电池 第一性原理 共掺杂

领　　域： [理学] [理学]