作　　者： ; ;

机构地区： 华南理工大学理学院应用物理系

出　　处： 《华南理工大学学报（自然科学版）》 1999年第10期102-106,共5页

摘　　要： 采用ＥＰＭＡ 近似法， 研究了双模型三元混晶界面极化子的性质， 计算了ＺｎＳｘＳｅ１ － ｘ（ＧａＡｓ） 和ＡｌｘＧａ１ － ｘＡｓ（ＧａＳｂ） 材料中界面光声子与电子的耦合随ｘ 的变化． 结果表明， 在强电场作用下， 界面光声子与电子的耦合加强； 体光声子与电子的耦合在ｘ 的某一取值处存在极小值，界面光声子与电子的耦合随ｘ In this paper, EPMA approximation was introduced for the interface polaron of two_mode behavior ternary mixed crystal. The change of the coupling of IO_phonons and electron with x was calculated for ZnS x Se 1-x (GaAs)and Al x Ga 1-x As(GaSb). The results showed that if a static electric field perpendicular to the interface is applied to this system, the coupling of electron and IO_phonons will be strong. The interaction between the electron and the LO_phonon has a minimal value at a certain x . The interaction between the electron and IO_phonons changed dramatically with x .

关 键 词： 界面极化子 双模型三元混晶 混晶 极化子

领　　域： [理学] [理学] [理学]