作　　者： ; ;

机构地区： 复旦大学物理学系

出　　处： 《物理学报》 1999年第7期1334-1339,共6页

摘　　要： 利用形式散射的格林函数方法，研究了Ｓｂ在ＩｎＰ（１１０）表面单层吸附时的电子性质．分别计算了清洁的ＩｎＰ（１１０）弛豫表面和ＩｎＰ（１１０）Ｓｂ（１ＭＬ）体系的表面态的性质，指出了表面态和表面共振态产生的原因． Abstract Based on the tight binding scattering theoretical method,the electronic strucutre of Sb adsorped on the surface of InP(110) is studied.Surface states and surface resonances are identified from the calculated local density of states along the four zone boundaries of the (110) surface Brillouin zone.Some results are in good agreement with the experiment and better than other theoretical results.

关 键 词： 磷化铟 电子性质 表面态 锑 吸附

领　　域： [电子电信] [金属学及工艺] [金属学及工艺]