作　　者： ; ;

机构地区： 厦门大学物理与机电工程学院物理学系

出　　处： 《发光学报》 1999年第1期14-16,共3页

摘　　要： 报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８５Ｋ左右完全消失．高能端的发光峰（以下简称Ｂ峰）积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭．采用低激发功率密度激发样品，Ａ峰较Ｂ峰强．增大激发功率密度，Ｂ峰强度逐渐超过Ａ峰强度并占据主导地位．激发功率密度增加约两个数量级时，发现Ｂ峰峰值位置不随激发功率密度移动，而Ａ峰出现微小蓝移（６．２ｍｅＶ）．初步分析表明，Ａ峰与空间分离中心的复合有关，而Ｂ峰来自本征激子复合； An investigation on the properties of the temperature dependence and the excitation intensity dependence of photoluminescence of ordered Ga 0.52 In 0.48 P was carried out. Under the condition of low temperature of T =17K and low excitation intensity, the spectrum profile showed a double peaks structure. Changing the temperature and the excitation intensity respectively, the relative phenomena were discussed and a reasonable explanation was given.

关 键 词： 有序度 族 半导体 光致发光谱 镓铟磷

领　　域： [电子电信] [理学] [理学]