作　　者： ; ;

机构地区： 西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系

出　　处： 《光学学报》 1998年第9期1224-1227,共4页

摘　　要： 利用几何光学理论分析了波导与探测器吸收层之间的光学传播情况，以硅基波导与ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ探测器吸收层为分析对象，说明光学耦合效率与两层介质的折射率分布及吸收层长度的关系。 The coupling efficiency between the waveguide and detector absorber layer is duscussed on the basis of the geometric optics method. The dependence of the coupling efficiency on the refractive index distribution and length of absorption region in the vertically coupling structure is analysed.

关 键 词： 光波导 探测器吸收层 耦合效率 硅基

领　　域： [电子电信]