作　　者： ; ; ;

机构地区： 华南师范大学物理与电信工程学院

出　　处： 《中国科学（G辑）》 2009年第5期681-687,共7页

摘　　要： 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.

关 键 词： 单壁碳纳米管 掺杂 第一性原理计算 形成能 态密度

领　　域： [理学] [理学] [一般工业技术]