作 者：
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(张西祥）;
(李金锷）;
机构地区：
天津大学理学院物理系
出 处：
《信息记录材料》
1989年第2期27-30,63,共5页
摘 要：
本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。
关 键 词：
溅射法
原子数
取向度
垂直磁记录
负偏压
膜结构
磁控溅射
性能测试结果
饱和磁化强度
领 域：
[化学工程]
