作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 天津大学电子信息工程学院

出　　处： 《材料导报》 2008年第7期114-116,共3页

摘　　要： 研究了多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响机制。以p+型硅片为基底,通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。采用微拉曼光谱法对多孔硅的热导系数进行了测量,结果表明,多孔硅的热导系数随其孔隙率的增大而明显下降,实验中热导系数最低可达到0.624W/(m.K),从而通过降低热导系数使多孔硅的绝热性能得到了增强。 In this paper the effect mechanism of the porosity of porous silicon （PS） on its thermal insulation is proposed. Double-cell electrochemical etching is used to prepare PS based on p＋ type silicon. Micro Raman spectroscopy （MRS） is used to measure the thermal conductivity （TC） of PS. The result shows that the TC of PS decreases rapidly with the increasing porosity,and the lowest TC value can reach 0. 624W/（m · K）, so the thermal insulation of PS is enhanced by reducing the thermal conductivity.

关 键 词： 多孔硅 孔隙率 电化学腐蚀 显微拉曼光谱 热导系数 绝热层

领　　域： [电子电信]