作 者: ;
机构地区: 杭州电子科技大学电子信息学院
出 处: 《无机材料学报》 2008年第4期676-676,共1页
摘 要: 金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折点.由于器件尺寸不断缩小,导致MOS中氧化层厚度相应减小,电子的隧道穿透效应逐渐显现出来,引起的棚极-沟道漏电流急剧增大,导致器件发热量增加、性能下降甚至失效,因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小.