作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处： 《发光学报》 2008年第3期433-436,共4页

摘　　要： 采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜(CuPc)和富勒烯(C60)构成的平面异质结结构光伏器件,并初步研究了CuPc薄膜生长速率对器件光伏性能的影响,我们发现以较大薄膜生长速率制备的器件表现出较大的短路电流和能量转换效率。X射线衍射和原子力显微镜观察的结果表明生长速率较大的CuPc薄膜结晶相含量较少,薄膜结构较均匀、致密、平整,这可能使得CuPc薄膜激子扩散和载流子迁移特性得到提高,也可能改善其与C60受主薄膜和ITO阳极的接触,并有利于载流子的分离和收集,从而表现出较好的光伏特性。 We fabricated the CuPc and C60 heterojunction organic photovohaic devices by vacuum deposition and investigated the effects of CuPc deposition rate on photovoltaic device performance. We found that the photovohaic devices with high CuPc deposition rate exhibited larger short circuit current and higher power conversion efficiencies. X-ray diffraction and atomic force microscopy studies show that the CuPc thin films with high deposition rates are smooth and amorphous, which may correlated with improvements of the charge transport and exciton diffusion for obtaining higher performance of organic photovoltaic devices.

关 键 词： 有机光伏器件 薄膜 生长速率

领　　域： [理学] [理学] [理学] [理学]