作　　者： ; ;

机构地区： 西安交通大学

出　　处： 《西安交通大学学报》 1997年第9期58-61,66,共5页

摘　　要： 文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率、光电流、频率响应带宽等重要参数的物理意义．并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好． In this paper electronic transport of GeSi/Si supperlattic PIN waveguide photodetector is analysed. The description of the physical meanings for quantum efficiency, photocurrent and bandwidth are presented. It is found that the theoretical analysis is well coincided with experimental results.

关 键 词： 光电探测器 超晶格 波导 硅化锗 硅 探测器

领　　域： [电子电信]